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一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010310992.3
申请日：
2020-04-20
公开(公告)号：
CN111337812B
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
王煜
申请人：
赛英特半导体技术（西安）有限公司
申请人地址：
710119 陕西省西安市西部大道170号丰泽科技园2号楼401室
IPC主分类号：
G01R31/26
IPC分类号：
G01R27/14
代理机构：
西安通大专利代理有限责任公司 61200
代理人：
李鹏威
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-05 | 授权 | 授权 |