一种MOSFET管的测试电路及其测试方法

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申请号
CN202011613309.X
申请日
2020-12-31
公开(公告)号
CN114764116A
公开(公告)日
2022-07-19
发明(设计)人
曹佶 任旭东
申请人
申请人地址
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区启迪路198号B1-3-067室
IPC主分类号
G01R3126
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种MOSFET的测试电路 [P]. 
董长青 ;
马俊 .
中国专利 :CN201611352U ,2010-10-20
[2]
一种MOSFET测试电路 [P]. 
刘强 .
中国专利 :CN216926991U ,2022-07-08
[3]
一种MOSFET测试电路 [P]. 
李俊辉 ;
廖光朝 ;
张小兵 ;
胡绍国 .
中国专利 :CN223284330U ,2025-08-29
[4]
一种测试MOS管特性的测试电路及其方法 [P]. 
邱海亮 ;
蔡新春 .
中国专利 :CN103913688A ,2014-07-09
[5]
一种UIS测试电路及其测试方法 [P]. 
白玉明 ;
冷强 ;
张海涛 .
中国专利 :CN108181564A ,2018-06-19
[6]
一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路 [P]. 
王煜 .
中国专利 :CN111337812A ,2020-06-26
[7]
一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路 [P]. 
王煜 .
中国专利 :CN111337812B ,2025-12-05
[8]
一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法 [P]. 
王煜 .
中国专利 :CN110824325B ,2025-01-17
[9]
一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法 [P]. 
王煜 .
中国专利 :CN110824325A ,2020-02-21
[10]
一种测试电路及其测试方法 [P]. 
戴加良 ;
赵帅 .
中国专利 :CN111337783B ,2025-02-14