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一种MOSFET管的测试电路及其测试方法
被引:0
申请号
:
CN202011613309.X
申请日
:
2020-12-31
公开(公告)号
:
CN114764116A
公开(公告)日
:
2022-07-19
发明(设计)人
:
曹佶
任旭东
申请人
:
申请人地址
:
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区启迪路198号B1-3-067室
IPC主分类号
:
G01R3126
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-19
公开
公开
2022-08-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20201231
共 50 条
[1]
一种MOSFET的测试电路
[P].
董长青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
董长青
;
马俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马俊
.
中国专利
:CN201611352U
,2010-10-20
[2]
一种MOSFET测试电路
[P].
刘强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘强
.
中国专利
:CN216926991U
,2022-07-08
[3]
一种MOSFET测试电路
[P].
李俊辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆云潼科技有限公司
重庆云潼科技有限公司
李俊辉
;
廖光朝
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆云潼科技有限公司
重庆云潼科技有限公司
廖光朝
;
张小兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆云潼科技有限公司
重庆云潼科技有限公司
张小兵
;
胡绍国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆云潼科技有限公司
重庆云潼科技有限公司
胡绍国
.
中国专利
:CN223284330U
,2025-08-29
[4]
一种测试MOS管特性的测试电路及其方法
[P].
邱海亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邱海亮
;
蔡新春
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蔡新春
.
中国专利
:CN103913688A
,2014-07-09
[5]
一种UIS测试电路及其测试方法
[P].
白玉明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
白玉明
;
冷强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冷强
;
张海涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张海涛
.
中国专利
:CN108181564A
,2018-06-19
[6]
一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路
[P].
王煜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王煜
.
中国专利
:CN111337812A
,2020-06-26
[7]
一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路
[P].
王煜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
赛英特半导体技术(西安)有限公司
赛英特半导体技术(西安)有限公司
王煜
.
中国专利
:CN111337812B
,2025-12-05
[8]
一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法
[P].
王煜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
赛英特半导体技术(西安)有限公司
赛英特半导体技术(西安)有限公司
王煜
.
中国专利
:CN110824325B
,2025-01-17
[9]
一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法
[P].
王煜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王煜
.
中国专利
:CN110824325A
,2020-02-21
[10]
一种测试电路及其测试方法
[P].
戴加良
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳英集芯科技股份有限公司
深圳英集芯科技股份有限公司
戴加良
;
赵帅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳英集芯科技股份有限公司
深圳英集芯科技股份有限公司
赵帅
.
中国专利
:CN111337783B
,2025-02-14
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