共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
一种MOSFET晶圆临近颗粒测试方法及其测试电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010310992.3
申请日：
2020-04-20
公开(公告)号：
CN111337812A
公开(公告)日：
2020-06-26
发明(设计)人：
王煜
申请人：
申请人地址：
710119 陕西省西安市西部大道170号丰泽科技园2号楼401室
IPC主分类号：
G01R3126
IPC分类号：
G01R2714
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-08-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20200420 |
| 2020-06-26 | 公开 | 公开 |
| 2023-01-03 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):G01R 31/26 变更事项:申请人 变更前:陕西三海测试技术开发有限责任公司 变更后:赛英特半导体技术（西安）有限公司 变更事项:地址 变更前:710119 陕西省西安市西部大道170号丰泽科技园2号楼401室 变更后:710119 陕西省西安市西部大道170号丰泽科技园2号楼401室 |