测量栅介质层厚度的半导体结构及栅介质层厚度测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410522576.4

申请日：

2014-09-30

公开(公告)号：

CN105448763A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

周飞李勇居建华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	授权	授权
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657708496 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2014105225764 申请日:20140930
2016-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

寄生电容的测量方法以及栅介质层厚度的计算方法 [P].

韦敏侠 .

中国专利 :CN102854398B ,2013-01-02

[2]

用于测量栅介质层的电学厚度的接触焊盘及其测量结构 [P].

黎坡 ;

张拥华 ;

周建华 .

中国专利 :CN101635292B ,2010-01-27

[3]

外延层厚度的测量方法 [P].

严耿昕 ;

曹敏 ;

张凯元 ;

姜俏 .

中国专利 :CN119905415A ,2025-04-29

[4]

整合不同厚度的栅介质层的制造方法 [P].

陆连 ;

朱轶铮 ;

孟祥国 .

中国专利 :CN114446879A ,2022-05-06

[5]

栅介质层的厚度的监控方法 [P].

王胜林 ;

张志敏 .

中国专利 :CN114068343A ,2022-02-18

[6]

膜层厚度测量方法及膜层厚度测量装置 [P].

刘公才 .

中国专利 :CN108981624A ,2018-12-11

[7]

胶层厚度测量方法 [P].

李禹 .

中国专利 :CN103217137B ,2013-07-24

[8]

介电层厚度的测量方法 [P].

任洁 ;

陈明凡 ;

应利良 ;

李立娟 ;

张雪 .

中国专利 :CN119764203A ,2025-04-04

[9]

氧化层厚度测量方法及装置 [P].

张奔 ;

金柱炫 ;

孙毅 .

中国专利 :CN117747464A ,2024-03-22

[10]

薄膜层厚度的测量方法 [P].

张硕 ;

周璐 .

中国专利 :CN112697080A ,2021-04-23

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