能够抑制晶体管特性退化的制造双极晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99103424.4

申请日：

1999-03-30

公开(公告)号：

CN1129174C

公开(公告)日：

1999-10-06

发明(设计)人：

上田裕

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;余朦

法律状态：

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-06-04	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20030410
2003-11-26	授权	授权
2005-06-01	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-10-06	公开	公开
1999-08-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN109659359A ,2019-04-19

[2]

双极晶体管以及制造双极晶体管的方法 [P].

J·康拉斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104282739A ,2015-01-14

[3]

双极晶体管的制造方法 [P].

金镇洙 ;

高锡龙 .

中国专利 :CN1992180A ,2007-07-04

[4]

制造双极晶体管的方法和双极晶体管 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

托尼·范胡克 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

汉斯·莫腾斯 ;

布兰迪恩·杜利兹 .

中国专利 :CN102479704A ,2012-05-30

[5]

制造双极晶体管的方法、双极晶体管和集成电路 [P].

埃弗利娜·格里德莱特 ;

约翰尼斯·唐克斯 ;

皮特鲁斯·马尼 ;

菲特·丁 ;

托尼·范胡克 .

中国专利 :CN104134688B ,2014-11-05

[6]

双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法 [P].

C.达尔 ;

A.蒂尔克 ;

D.A.楚马科夫 .

中国专利 :CN105321995B ,2016-02-10

[7]

双极晶体管的制造方法 [P].

胡金节 ;

肖中强 ;

陈正培 ;

李月影 ;

赵英翰 ;

吴孝嘉 .

中国专利 :CN102074474A ,2011-05-25

[8]

制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法 [P].

J·日默内·马蒂内 .

中国专利 :CN113206040A ,2021-08-03

[9]

制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法 [P].

J·日默内·马蒂内 .

法国专利 :CN113206040B ,2024-11-22

[10]

双极晶体管、半导体装置以及双极晶体管的制造方法 [P].

佐佐木健次 .

中国专利 :CN104347406B ,2015-02-11

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