半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710447901.9
申请日
2013-09-18
公开(公告)号
CN107275354B
公开(公告)日
2017-10-20
发明(设计)人
横山孝司
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
代理机构
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人
陈睆;曹正建
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
时藤俊一 .
中国专利 :CN101339924B ,2009-01-07
[2]
半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件 [P]. 
金子贵昭 ;
井上尚也 ;
林喜宏 .
中国专利 :CN103035642A ,2013-04-10
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
砂村润 ;
井上尚也 ;
金子贵昭 .
中国专利 :CN103247683A ,2013-08-14
[4]
半导体器件、半导体器件制造方法以及固体摄像装置 [P]. 
横山孝司 .
中国专利 :CN103715175A ,2014-04-09
[5]
半导体器件 [P]. 
大谷久 ;
安达广树 ;
宫永昭治 ;
高山彻 .
中国专利 :CN1271181A ,2000-10-25
[6]
半导体器件 [P]. 
伊喜利勇贵 .
日本专利 :CN117747613A ,2024-03-22
[7]
半导体器件 [P]. 
山本芳树 .
中国专利 :CN114582875A ,2022-06-03
[8]
半导体器件 [P]. 
原田峻丞 ;
中野敬志 ;
奥野卓也 .
中国专利 :CN103811492A ,2014-05-21
[9]
半导体器件 [P]. 
海老原洪平 ;
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[10]
半导体器件 [P]. 
井口总一郎 .
中国专利 :CN107658297B ,2018-02-02