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半导体器件

被引：0
申请号：
CN202210195379.0
申请日：
2016-10-26
公开(公告)号：
CN114582875A
公开(公告)日：
2022-06-03
发明(设计)人：
山本芳树
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2711
IPC分类号：
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
李辉;张昊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-03 公开 公开
2022-06-21 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11 申请日:20161026
共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
山本芳树 .
中国专利 :CN107039440B ,2017-08-11
[2]
半导体器件 [P]. 
大谷久 ;
安达广树 ;
宫永昭治 ;
高山彻 .
中国专利 :CN1271181A ,2000-10-25
[3]
半导体器件 [P]. 
井口总一郎 .
中国专利 :CN107658297B ,2018-02-02
[4]
半导体器件 [P]. 
江间泰示 ;
藤田和司 ;
王纯志 .
中国专利 :CN104078463A ,2014-10-01
[5]
半导体器件 [P]. 
中岛荣 .
中国专利 :CN104282690A ,2015-01-14
[6]
半导体器件 [P]. 
山本芳树 ;
槙山秀树 ;
角村贵昭 ;
岩松俊明 .
中国专利 :CN106847898A ,2017-06-13
[7]
半导体器件 [P]. 
冈本康弘 ;
中山达峰 ;
井上隆 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN105845717A ,2016-08-10
[8]
半导体器件及半导体器件的制造方法 [P]. 
多木俊裕 ;
西森理人 ;
今田忠纮 .
中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10
[9]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
森田祐介 ;
土屋龙太 ;
石垣隆士 ;
杉井信之 ;
木村绅一郎 .
中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16
[10]
半导体器件及半导体器件的制造方法 [P]. 
井口总一郎 .
中国专利 :CN103367448A ,2013-10-23
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