半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00101058.1

申请日：

1994-12-02

公开(公告)号：

CN1271181A

公开(公告)日：

2000-10-25

发明(设计)人：

大谷久安达广树宫永昭治高山彻

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-10-25	公开	公开
2004-07-07	授权	授权
2015-01-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101595904210 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL001010581 申请日:19941202 授权公告日:20040707 终止日期:20131202
2000-09-27	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

山本芳树 .

中国专利 :CN114582875A ,2022-06-03

[2]

半导体器件 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN107658297B ,2018-02-02

[3]

半导体器件 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 ;

王纯志 .

中国专利 :CN104078463A ,2014-10-01

[4]

半导体器件 [P].

山本芳树 ;

槙山秀树 ;

角村贵昭 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN106847898A ,2017-06-13

[5]

半导体器件 [P].

山本芳树 .

中国专利 :CN107039440B ,2017-08-11

[6]

半导体器件 [P].

冈本康弘 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN105845717A ,2016-08-10

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN103367448A ,2013-10-23

[10]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

冈本康弘 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13

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