可控硅结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110673779.3

申请日：

2021-06-17

公开(公告)号：

CN113410296A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

杨志伟邵长海左建伟孙传帮

申请人：

申请人地址：

132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号

IPC主分类号：

H01L2974

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310

代理人：

宋江

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	公开	公开
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/74 申请日:20210617

共 50 条

[1]

可控硅结构 [P].

杨志伟 ;

邵长海 ;

左建伟 ;

孙传帮 .

中国专利 :CN113410296B ,2024-03-22

[2]

可控硅结构 [P].

孙传帮 ;

邵长海 ;

左建伟 ;

杨志伟 .

中国专利 :CN214254427U ,2021-09-21

[3]

可控硅结构 [P].

刘宗贺 ;

吴沛东 .

中国专利 :CN212725318U ,2021-03-16

[4]

一种改进的可控硅结构 [P].

王希恒 ;

陈桂红 ;

王恒庆 .

中国专利 :CN214672570U ,2021-11-09

[5]

静电保护用可控硅结构 [P].

代萌 .

中国专利 :CN104465644B ,2015-03-25

[6]

一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件 [P].

顾彦国 ;

赵德益 ;

蒋骞苑 ;

吕海凤 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN116072672B ,2025-08-26

[7]

双向可控硅结构 [P].

杜飞波 ;

王俊 ;

苏振江 .

中国专利 :CN110047921A ,2019-07-23

[8]

改良半导体可控硅 [P].

左亚兵 ;

伍林 ;

潘建英 .

中国专利 :CN201773838U ,2011-03-23

[9]

双向可控的可控硅 [P].

K·托马斯 ;

P·斯特雷特 .

中国专利 :CN1200576A ,1998-12-02

[10]

高保持电压可控硅结构 [P].

陶园林 .

中国专利 :CN104600104B ,2015-05-06

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