可控硅结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120561027.3

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN214254427U

公开(公告)日：

2021-09-21

发明(设计)人：

孙传帮邵长海左建伟杨志伟

申请人：

申请人地址：

132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号

IPC主分类号：

H01L2974

IPC分类号：

H01L29417 H01L29423

代理机构：

成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310

代理人：

唐维虎

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-21	授权	授权

共 50 条

[1]

可控硅结构 [P].

杨志伟 ;

邵长海 ;

左建伟 ;

孙传帮 .

中国专利 :CN113410296B ,2024-03-22

[2]

可控硅结构 [P].

杨志伟 ;

邵长海 ;

左建伟 ;

孙传帮 .

中国专利 :CN113410296A ,2021-09-17

[3]

可控硅结构 [P].

刘宗贺 ;

吴沛东 .

中国专利 :CN212725318U ,2021-03-16

[4]

静电保护用可控硅结构 [P].

代萌 .

中国专利 :CN104465644B ,2015-03-25

[5]

一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件 [P].

顾彦国 ;

赵德益 ;

蒋骞苑 ;

吕海凤 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN116072672B ,2025-08-26

[6]

双向可控硅结构 [P].

杜飞波 ;

王俊 ;

苏振江 .

中国专利 :CN110047921A ,2019-07-23

[7]

改良半导体可控硅 [P].

左亚兵 ;

伍林 ;

潘建英 .

中国专利 :CN201773838U ,2011-03-23

[8]

双向可控的可控硅 [P].

K·托马斯 ;

P·斯特雷特 .

中国专利 :CN1200576A ,1998-12-02

[9]

高保持电压可控硅结构 [P].

陶园林 .

中国专利 :CN104600104B ,2015-05-06

[10]

可控硅结构及其制造方法 [P].

李晓锋 ;

黄富强 .

中国专利 :CN112133743A ,2020-12-25

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