半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980159180.5

申请日：

2009-12-25

公开(公告)号：

CN102422397A

公开(公告)日：

2012-04-18

发明(设计)人：

宫崎富仁木山诚堀井拓

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L2160 H01L21822 H01L2704 H01L2912 H01L2947 H01L2978 H01L29872

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	授权	授权
2018-12-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20091225 授权公告日:20150617 终止日期:20171225
2012-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101256121337 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009801591805 申请日:20091225
2012-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608899A ,2014-02-26

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

杜文仙 ;

李暐凡 .

中国专利 :CN112242434A ,2021-01-19

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

杜文仙 ;

李暐凡 .

中国专利 :CN112242434B ,2024-12-24

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

刘庭 ;

付汝起 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115498020A ,2022-12-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN113421869B ,2021-09-21

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

崔康植 ;

李凤薰 ;

李承瞮 .

中国专利 :CN109148457A ,2019-01-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

浜田崇 ;

村上智史 ;

山崎舜平 ;

中村理 ;

梶尾诚之 ;

肥纯一 ;

高山彻 .

中国专利 :CN100373620C ,2002-08-28

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

增井勇志 ;

荒木田孝博 ;

山内义则 ;

菊地加代子 ;

幸田伦太郎 ;

山口典彦 ;

大木智之 .

中国专利 :CN102163803A ,2011-08-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

裴轶 ;

刘飞航 .

中国专利 :CN108470723B ,2018-08-31

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

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