一种低银填充量导电胶的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111263112.2
申请日
2021-10-28
公开(公告)号
CN113930216A
公开(公告)日
2022-01-14
发明(设计)人
单镭 陈华昌 杨立功
申请人
申请人地址
213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
IPC主分类号
C09J18307
IPC分类号
C09J18305 C09J902
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种低银含量导电胶的制备方法 [P]. 
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[2]
一种锡银填充柔性导电胶及制备方法 [P]. 
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[3]
一种纳米银填充高导热导电胶及其制备方法 [P]. 
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[4]
一种含导电助剂的银导电胶及其制备方法与应用 [P]. 
杨晓杨 ;
周迎春 ;
温雪恒 ;
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李名兆 ;
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[5]
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[6]
一种低含银量加成型有机硅导电胶及其制备方法 [P]. 
李志明 ;
孙玉海 ;
宋艳 ;
朱江 .
中国专利 :CN108641671B ,2018-10-12
[7]
一种耐老化高粘接力低银含导电胶及其制备方法 [P]. 
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[8]
一种银基导电胶的制备方法 [P]. 
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[9]
一种导电填料及其制备方法、导电胶、应用 [P]. 
张浩 ;
韩杨 ;
周占玉 ;
史宫会 .
中国专利 :CN116218411B ,2025-03-25
[10]
一种光固化导电胶及其制备方法 [P]. 
杨桂生 ;
赵鑫 ;
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