平面射流等离子体产生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210245290.7

申请日：

2012-07-17

公开(公告)号：

CN102781157B

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

刘彦明谢楷李小平赵良艾伟付强新

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H05H146

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375919156 IPC(主分类):H05H 1/46 专利申请号:2012102452907 申请日:20120717
2014-12-17	授权	授权
2012-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体产生装置 [P].

山田幸香 ;

宫本诚 ;

竹之下一利 ;

寺尾芳孝 ;

平井伸岳 .

中国专利 :CN103988587A ,2014-08-13

[2]

一种等离子体射流阵列非均匀等离子体产生装置 [P].

李海龙 ;

龙俊凯 ;

王茂琰 ;

王彬 ;

殷勇 ;

蒙林 ;

袁学松 .

中国专利 :CN109600900A ,2019-04-09

[3]

等离子体射流设备 [P].

A·卢梭 ;

J·优素福 .

法国专利 :CN120677840A ,2025-09-19

[4]

一种等离子体射流产生装置 [P].

昌锡江 ;

徐涛 ;

王大伟 ;

梁逸轩 ;

方玲 .

中国专利 :CN108770173B ,2018-11-06

[5]

等离子体射流装置 [P].

卢新培 ;

熊青 ;

熊紫兰 ;

鲜于斌 ;

潘垣 .

中国专利 :CN201303456Y ,2009-09-02

[6]

等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P].

熊谷裕典 ;

今井伸一 .

中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04

[7]

等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P].

岩田卓也 ;

池户俊之 .

日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23

[8]

等离子体射流装置 [P].

卢新培 ;

熊青 ;

熊紫兰 ;

鲜于斌 ;

潘垣 .

中国专利 :CN101426327B ,2009-05-06

[9]

等离子体射流装置 [P].

占建英 ;

周如 ;

张俊 ;

张慧文 ;

元淼 .

中国专利 :CN106856644A ,2017-06-16

[10]

等离子体产生装置及等离子体照射方法 [P].

神藤高广 ;

池户俊之 .

中国专利 :CN109565921A ,2019-04-02

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