半导体制造装置用氧化防止气体供给器

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201230476357.9

申请日：

2012-10-08

公开(公告)号：

CN302351212S

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

国吉勝俊木内逸人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1509

IPC分类号：

代理机构：

北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329

代理人：

王礼华;毛威

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体制造装置用氧化防止气体供给器 [P].

国吉勝俊 ;

木内逸人 .

中国专利 :CN302423843S ,2013-05-01

[2]

半导体制造装置用传热气体供给器 [P].

林大辅 .

中国专利 :CN3451513D ,2005-06-01

[3]

半导体制造装置用传热气体供给器(1) [P].

林大辅 .

中国专利 :CN3347525D ,2004-01-14

[4]

半导体制造装置用的气体供给装置 [P].

冈部庸之 .

中国专利 :CN102235573A ,2011-11-09

[5]

气体供给装置、半导体制造装置和气体供给装置用部件 [P].

守谷修司 .

中国专利 :CN101409213A ,2009-04-15

[6]

半导体制造装置的气体供给系统 [P].

守谷修司 ;

中尾贤 .

中国专利 :CN101284199A ,2008-10-15

[7]

半导体制造装置的原料气体供给装置 [P].

永濑正明 ;

日高敦志 ;

平田薰 ;

土肥亮介 ;

西野功二 ;

池田信一 .

中国专利 :CN103649367A ,2014-03-19

[8]

半导体制造装置的气体分流供给装置 [P].

西野功二 ;

土肥亮介 ;

平田薰 ;

杉田胜幸 ;

池田信一 .

中国专利 :CN104246642A ,2014-12-24

[9]

半导体制造装置的气体分流供给装置 [P].

西野功二 ;

土肥亮介 ;

池田信一 ;

平田薰 ;

森崎和之 .

中国专利 :CN104081304A ,2014-10-01

[10]

半导体制造装置的气体分流供给装置 [P].

西野功二 ;

土肥亮介 ;

平田薰 ;

杉田胜幸 ;

池田信一 .

中国专利 :CN108445922A ,2018-08-24

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