基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510126469.0

申请日：

2005-12-13

公开(公告)号：

CN1983509A

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

徐军章蓓张振生代涛

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L213065 H01L3300 H01S510 H01S522

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

俞达成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-02-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101392924911 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2005101264690 申请日:20051213 授权公告日:20081231 终止日期:20111213
2008-12-31	授权	授权
2007-06-20	公开	公开

共 50 条

[1]

基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法 [P].

杨琳娟 ;

姜潇潇 ;

谷琼婵 ;

宋爱娟 ;

梁丽勤 ;

吕江涛 ;

王凤文 ;

司光远 .

中国专利 :CN103064147B ,2013-04-24

[2]

电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀的微光开关加工方法 [P].

代俊 ;

张崇飞 ;

徐浩然 ;

谢晋 ;

熊壮 ;

唐彬 ;

黄金红 ;

廖运来 .

中国专利 :CN112735936B ,2021-04-30

[3]

基于聚焦离子束技术的微刀具制备方法 [P].

房丰洲 ;

张少婧 ;

徐宗伟 ;

胡小唐 .

中国专利 :CN101543901A ,2009-09-30

[4]

基于一维光子晶体的腔结构及其制备方法 [P].

章蓓 ;

徐军 ;

张振生 .

中国专利 :CN1829014A ,2006-09-06

[5]

离子束刻蚀方法 [P].

胡咏兵 .

中国专利 :CN119890037A ,2025-04-25

[6]

基于聚焦离子束刻蚀的加工正型结构的方法及应用 [P].

王雅思 ;

洪文晶 ;

刘俊扬 ;

赵春凤 ;

郑珏婷 .

中国专利 :CN113415782A ,2021-09-21

[7]

一种聚焦离子束刻蚀加工工艺参数的设计方法 [P].

幸研 ;

李源 ;

陈乾潢 ;

方晨 .

中国专利 :CN109165400A ,2019-01-08

[8]

基于聚焦离子束技术的微透镜与光纤集成方法 [P].

付永启 ;

杜春雷 .

中国专利 :CN100417961C ,2006-05-10

[9]

聚焦离子束分析方法 [P].

段淑卿 ;

曹蓉 ;

齐瑞娟 ;

于会生 .

中国专利 :CN105097580A ,2015-11-25

[10]

聚焦离子束设备及聚焦离子束检测方法 [P].

赖李龙 .

中国专利 :CN101246132B ,2008-08-20

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