MRAM芯片及其功耗控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510203650.0

申请日：

2015-04-24

公开(公告)号：

CN105630128A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

戴瑾

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层

IPC主分类号：

G06F132

IPC分类号：

代理机构：

上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287

代理人：

于晓菁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	公开	公开
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667881641 IPC(主分类):G06F 1/32 专利申请号:2015102036500 申请日:20150424
2019-08-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F 1/32 申请公布日:20160601

共 50 条

[1]

嵌入MRAM的SoC芯片及其功耗控制方法 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN105630127A ,2016-06-01

[2]

MRAM芯片的测试方法及MRAM芯片 [P].

付婷 ;

韩谷昌 ;

王明 ;

杨晓蕾 .

中国专利 :CN118866069A ,2024-10-29

[3]

MRAM芯片的测试方法和MRAM芯片 [P].

韩谷昌 ;

曹倩 ;

杨晓蕾 ;

王明 .

中国专利 :CN118824337A ,2024-10-22

[4]

MRAM芯片 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN110136760B ,2019-08-16

[5]

一种MRAM芯片及其测试方法 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN107767918A ,2018-03-06

[6]

低功耗控制电路、芯片、微控制器及低功耗控制方法 [P].

黄虹 ;

姚建平 .

中国专利 :CN119781599A ,2025-04-08

[7]

MRAM单元、其制作方法及MRAM芯片 [P].

侯艳婷 ;

郑泽杰 .

中国专利 :CN118280406A ,2024-07-02

[8]

一种MRAM芯片及其自测试方法 [P].

戴瑾 ;

俞华樑 .

中国专利 :CN107591184A ,2018-01-16

[9]

一种准多口MRAM芯片及其读写方法 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN108074606A ,2018-05-25

[10]

一种MRAM芯片及其自测试方法 [P].

戴瑾 ;

叶力 ;

俞华樑 .

中国专利 :CN107516545A ,2017-12-26

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