一种MRAM芯片及其自测试方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610532014.7
申请日
2016-07-07
公开(公告)号
CN107591184A
公开(公告)日
2018-01-16
发明(设计)人
戴瑾 俞华樑
申请人
申请人地址
201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
IPC主分类号
G11C2900
IPC分类号
G11C1116
代理机构
上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287
代理人
于晓菁
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种MRAM芯片及其自测试方法 [P]. 
戴瑾 ;
叶力 ;
俞华樑 .
中国专利 :CN107516545A ,2017-12-26
[2]
MRAM芯片的测试方法及MRAM芯片 [P]. 
付婷 ;
韩谷昌 ;
王明 ;
杨晓蕾 .
中国专利 :CN118866069A ,2024-10-29
[3]
MRAM芯片的测试方法和MRAM芯片 [P]. 
韩谷昌 ;
曹倩 ;
杨晓蕾 ;
王明 .
中国专利 :CN118824337A ,2024-10-22
[4]
一种MRAM芯片及其测试方法 [P]. 
戴瑾 .
中国专利 :CN107767918A ,2018-03-06
[5]
存储器自测试电路、芯片及计算装置 [P]. 
常亮 ;
吴强 .
中国专利 :CN118155697A ,2024-06-07
[6]
存储器的内建自测试系统的测试方法 [P]. 
王建群 ;
徐成宇 .
中国专利 :CN120164512A ,2025-06-17
[7]
一种MRAM芯片 [P]. 
戴瑾 ;
俞华樑 ;
叶力 ;
郭一民 ;
陈峻 .
中国专利 :CN107958681A ,2018-04-24
[8]
MRAM芯片及其功耗控制方法 [P]. 
戴瑾 .
中国专利 :CN105630128A ,2016-06-01
[9]
一种准多口MRAM芯片及其读写方法 [P]. 
戴瑾 .
中国专利 :CN108074606A ,2018-05-25
[10]
一种面向存内计算宏单元的内建自测试架构、系统及方法 [P]. 
任文捷 ;
叶相君 ;
陈沛毓 ;
刘影 ;
王志轩 .
中国专利 :CN120673828B ,2025-11-18