MRAM芯片的测试方法和MRAM芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310419396.2

申请日：

2023-04-17

公开(公告)号：

CN118824337A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

韩谷昌曹倩杨晓蕾王明

申请人：

浙江驰拓科技有限公司

申请人地址：

311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道崇文路1718号

IPC主分类号：

G11C29/12

IPC分类号：

G11C11/16

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

孙峰芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 29/12申请日:20230417
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

MRAM芯片的测试方法及MRAM芯片 [P].

付婷 ;

韩谷昌 ;

王明 ;

杨晓蕾 .

中国专利 :CN118866069A ,2024-10-29

[2]

MRAM芯片 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN110136760B ,2019-08-16

[3]

MRAM单元、其制作方法及MRAM芯片 [P].

侯艳婷 ;

郑泽杰 .

中国专利 :CN118280406A ,2024-07-02

[4]

一种MRAM芯片及其测试方法 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN107767918A ,2018-03-06

[5]

一种MRAM芯片及其自测试方法 [P].

戴瑾 ;

俞华樑 .

中国专利 :CN107591184A ,2018-01-16

[6]

MRAM芯片及其功耗控制方法 [P].

戴瑾 .

中国专利 :CN105630128A ,2016-06-01

[7]

一种MRAM芯片 [P].

戴瑾 ;

俞华樑 ;

叶力 ;

郭一民 ;

陈峻 .

中国专利 :CN107958681A ,2018-04-24

[8]

用于筛选MRAM芯片异常位元的方法和系统 [P].

侯嘉 ;

王明 ;

何世坤 .

中国专利 :CN118538282A ,2024-08-23

[9]

一种MRAM芯片及其自测试方法 [P].

戴瑾 ;

叶力 ;

俞华樑 .

中国专利 :CN107516545A ,2017-12-26

[10]

具有动态冗余功能的MRAM芯片 [P].

戴瑾 ;

王春林 ;

叶力 ;

夏文斌 .

中国专利 :CN111863059A ,2020-10-30

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