一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010959080.9

申请日：

2020-09-14

公开(公告)号：

CN112126902A

公开(公告)日：

2020-12-25

发明(设计)人：

大岩一彦姚科科廣田二郎中村晃林智行山田浩

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市皋埠街道银桥路326号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1414 B22F100 B22F314 B22F324

代理机构：

宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264

代理人：

李鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	公开	公开
2021-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20200914

共 50 条

[1]

一种钨烧结靶材的制造方法 [P].

大岩一彦 ;

姚科科 ;

廣田二郎 ;

中村晃 ;

林智行 ;

山田浩 .

中国专利 :CN112126903A ,2020-12-25

[2]

一种高纯钨靶材的制备方法 [P].

王亚峰 ;

王占卫 ;

彭立培 ;

冀延治 ;

冀嘉梁 ;

林坤 ;

王志民 ;

冯海波 .

中国专利 :CN114457319A ,2022-05-10

[3]

一种大尺寸高纯钨靶材及其生产方法 [P].

魏修宇 ;

黄江波 ;

龙坚战 ;

张外平 ;

李光宗 ;

夏艳成 ;

常理 ;

宋立强 .

中国专利 :CN103805952A ,2014-05-21

[4]

一种半导体用氧化铟锡靶材及其制备方法 [P].

徐青青 .

中国专利 :CN120817786A ,2025-10-21

[5]

一种半导体用碗状靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

冯周瑜 ;

罗明浩 .

中国专利 :CN113718211A ,2021-11-30

[6]

一种高纯铬靶材及其制备方法 [P].

王作华 ;

张于胜 ;

王旭彪 ;

谢剑波 ;

刘未 ;

刘承泽 ;

吴金平 .

中国专利 :CN118668168B ,2025-01-21

[7]

一种高纯铬靶材及其制备方法 [P].

王作华 ;

张于胜 ;

王旭彪 ;

谢剑波 ;

刘未 ;

刘承泽 ;

吴金平 .

中国专利 :CN118668168A ,2024-09-20

[8]

一种半导体用GaSb靶材的制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

谢小豪 ;

童培云 .

中国专利 :CN114657400B ,2022-06-24

[9]

一种高纯钽靶材的生产方法 [P].

赵珍珍 ;

方庆 ;

谢玉 .

中国专利 :CN103147050B ,2013-06-12

[10]

高纯钽靶材制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

袁海军 .

中国专利 :CN102367568A ,2012-03-07

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