一种半导体用GaSb靶材的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210192561.0

申请日：

2022-03-01

公开(公告)号：

CN114657400B

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

沈文兴白平平谢小豪童培云

申请人：

申请人地址：

511518 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区

IPC主分类号：

C22C102

IPC分类号：

C22C1200 B22F314 B22F904

代理机构：

北京天盾知识产权代理有限公司 11421

代理人：

朱伟雄

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	授权	授权
2022-06-24	公开	公开
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 1/02 申请日:20220301

共 50 条

[1]

一种半导体用铌靶材组件的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

侯娟华 .

中国专利 :CN112975295A ,2021-06-18

[2]

一种Te掺杂的N型半导体GaSb靶材及其制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

童培云 .

中国专利 :CN120291030A ,2025-07-11

[3]

一种Si掺杂的P型半导体GaSb靶材及其制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

童培云 .

中国专利 :CN120291031A ,2025-07-11

[4]

一种半导体用碗状靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

冯周瑜 ;

罗明浩 .

中国专利 :CN113718211A ,2021-11-30

[5]

一种半导体用高纯钨靶材及其制备方法 [P].

大岩一彦 ;

姚科科 ;

廣田二郎 ;

中村晃 ;

林智行 ;

山田浩 .

中国专利 :CN112126902A ,2020-12-25

[6]

一种半导体用氧化铟锡靶材及其制备方法 [P].

徐青青 .

中国专利 :CN120817786A ,2025-10-21

[7]

一种半导体用硅靶材的制作方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

侯娟华 .

中国专利 :CN113199106A ,2021-08-03

[8]

一种高纯、高密度GaTe靶材的制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

童培云 .

中国专利 :CN114645252A ,2022-06-21

[9]

一种异形半导体靶材的制备方法 [P].

顾宗慧 ;

张扬 .

中国专利 :CN116791044B ,2024-10-22

[10]

一种半导体靶材夹具 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

郭周承 ;

章丽娜 .

中国专利 :CN215357374U ,2021-12-31

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