一种异形半导体靶材的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211580108.3

申请日：

2022-12-09

公开(公告)号：

CN116791044B

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

顾宗慧张扬

申请人：

基迈克材料科技（苏州）有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴江汾湖经济开发区汾杨路东侧

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

B23P15/00

代理机构：

苏州企知鹰知识产权代理事务所(普通合伙) 32420

代理人：

薛芳芳

法律状态：

授权

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体用GaSb靶材的制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

谢小豪 ;

童培云 .

中国专利 :CN114657400B ,2022-06-24

[2]

一种半导体用铌靶材组件的制备方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

侯娟华 .

中国专利 :CN112975295A ,2021-06-18

[3]

一种半导体靶材夹具 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

郭周承 ;

章丽娜 .

中国专利 :CN215357374U ,2021-12-31

[4]

一种半导体工业用靶材及其制备方法 [P].

雷雨 ;

周志宏 ;

肖世洪 ;

刘芳 .

中国专利 :CN114150277A ,2022-03-08

[5]

一种半导体靶材工艺裂缝的修复方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

姚舜 ;

滕俊 .

中国专利 :CN116586898B ,2025-12-30

[6]

一种半导体靶材组件及其制备工艺 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

袁波 .

中国专利 :CN111850494A ,2020-10-30

[7]

一种半导体高纯钛靶材组件的制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

边逸军 ;

冯周瑜 ;

杨广 .

中国专利 :CN114043180A ,2022-02-15

[8]

一种钛硅靶材的制备方法 [P].

朱伟 .

中国专利 :CN115679282A ,2023-02-03

[9]

一种半导体钼靶材及其制备方法和用途 [P].

姚力军 ;

郭红波 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

吴庆勇 .

中国专利 :CN111850495B ,2020-10-30

[10]

一种半导体用碗状靶材及其制备方法 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

边逸军 ;

王学泽 ;

冯周瑜 ;

罗明浩 .

中国专利 :CN113718211A ,2021-11-30

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