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一种半导体用氧化铟锡靶材及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511160303.4
申请日：
2025-08-19
公开(公告)号：
CN120817786A
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
徐青青
申请人：
基迈克材料科技（苏州）有限公司
申请人地址：
215211 江苏省苏州市吴江汾湖经济开发区汾杨路东侧
IPC主分类号：
C04B35/01
IPC分类号：
C04B35/622 C23C14/08
代理机构：
北京精金石知识产权代理有限公司 11470
代理人：
杨佩佩
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 衡水市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-21 公开 公开
2025-11-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/01申请日:20250819
共 50 条
[1]
氧化铟锡靶材的制备方法 [P]. 
章波 ;
郭元 .
中国专利 :CN108585832A ,2018-09-28
[2]
氧化铟锡靶材以及其烧结制备方法 [P]. 
曾纪术 ;
胡明振 ;
吴伯增 ;
陈锦全 ;
陈进中 ;
熊爱臣 ;
陈良武 ;
张元松 ;
谭翠 .
中国专利 :CN103922703B ,2014-07-16
[3]
一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法 [P]. 
方志杰 ;
莫曼 ;
谭泽旦 ;
姜峰 ;
黄誓成 ;
王凯 ;
曾纪术 ;
王永清 .
中国专利 :CN118495924A ,2024-08-16
[4]
一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法 [P]. 
方志杰 ;
莫曼 ;
谭泽旦 ;
姜峰 ;
黄誓成 ;
王凯 ;
曾纪术 ;
王永清 .
中国专利 :CN118495924B ,2025-06-10
[5]
氧化铟锡靶材浆料的制备方法 [P]. 
柴卫平 .
中国专利 :CN102013279B ,2012-02-22
[6]
一种氧化铟锡靶材及其制备方法和应用 [P]. 
徐威 ;
葛春桥 ;
丁金铎 .
中国专利 :CN118955118A ,2024-11-15
[7]
低结瘤氧化铟锡靶材的制备方法 [P]. 
孙本双 ;
何季麟 ;
舒永春 ;
曾学云 ;
陈杰 ;
李庆奎 ;
杨淑敏 ;
刘洋 ;
梁鹏 ;
赵旭 ;
齐超 ;
张雨 ;
仇晨 .
中国专利 :CN109369172A ,2019-02-22
[8]
一种氧化铟锡锌靶材、氧化物薄膜及其制备方法 [P]. 
陈明飞 ;
刘永成 ;
王金科 ;
郭梓旋 ;
徐胜利 ;
陈明高 ;
江长久 ;
王志杰 ;
莫国仁 ;
李跃辉 .
中国专利 :CN115418618A ,2022-12-02
[9]
氧化铟锡钽靶材的制备方法 [P]. 
刘文杰 ;
钟小华 ;
童培云 .
中国专利 :CN112110721B ,2020-12-22
[10]
一种氧化铟锡靶材的生产方法 [P]. 
王悦林 .
中国专利 :CN101319307B ,2008-12-10
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