一种Te掺杂的N型半导体GaSb靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510434962.6

申请日：

2025-04-08

公开(公告)号：

CN120291030A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

沈文兴白平平童培云

申请人：

先导薄膜材料（广东）有限公司

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9区

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C23C14/14 C22C1/04 B22F3/15

代理机构：

长沙辰齐知壹知识产权代理事务所(普通合伙) 43290

代理人：

肖小龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/34申请日:20250408
2025-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Si掺杂的P型半导体GaSb靶材及其制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

童培云 .

中国专利 :CN120291031A ,2025-07-11

[2]

一种半导体用GaSb靶材的制备方法 [P].

沈文兴 ;

白平平 ;

谢小豪 ;

童培云 .

中国专利 :CN114657400B ,2022-06-24

[3]

一种半导体靶材组件及其制备工艺 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

袁波 .

中国专利 :CN111850494A ,2020-10-30

[4]

一种异形半导体靶材的制备方法 [P].

顾宗慧 ;

张扬 .

中国专利 :CN116791044B ,2024-10-22

[5]

一种共掺杂N型金刚石及其制备方法、半导体材料和半导体器件 [P].

杨扬 ;

唐永炳 .

中国专利 :CN119753834A ,2025-04-04

[6]

一种半导体工业用靶材及其制备方法 [P].

雷雨 ;

周志宏 ;

肖世洪 ;

刘芳 .

中国专利 :CN114150277A ,2022-03-08

[7]

一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用 [P].

郭旭岗 ;

郭晗 ;

张显鹤 ;

冯奎 .

中国专利 :CN112993161A ,2021-06-18

[8]

一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用 [P].

郭晗 ;

周宓 .

中国专利 :CN119923173A ,2025-05-02

[9]

一种有机半导体的n型掺杂方法及其应用 [P].

郭晗 ;

周宓 .

中国专利 :CN119923173B ,2025-06-10

[10]

一种半导体钼靶材及其制备方法和用途 [P].

姚力军 ;

郭红波 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

吴庆勇 .

中国专利 :CN111850495B ,2020-10-30

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