碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380013907.5

申请日：

2013-03-14

公开(公告)号：

CN104247024B

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

今井文一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2947

IPC分类号：

H01L2128 H01L29861 H01L29868 H01L29872

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	公开	公开
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595662802 IPC(主分类):H01L 29/47 专利申请号:2013800139075 申请日:20130314
2017-08-22	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

川原洸太朗 ;

海老原洪平 .

中国专利 :CN108140676B ,2018-06-08

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

前山雄介 ;

西川恒一 ;

福田祐介 ;

清水正章 ;

佐藤雅 ;

岩黑弘明 ;

野中贤一 .

中国专利 :CN1838428A ,2006-09-27

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 .

日本专利 :CN118648120A ,2024-09-13

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693824A ,2024-03-12

[5]

碳化硅半导体装置 [P].

富永贵亮 ;

高木保志 ;

樽井阳一郎 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN109585535A ,2019-04-05

[6]

碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P].

陈昭铭 ;

张安平 ;

刘鸣然 ;

殷鸿杰 ;

罗惠馨 ;

袁朝城 .

中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

宫原真一朗 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

渡边行彦 ;

副岛成雅 ;

石川刚 .

中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

山田俊介 ;

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27

[9]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

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