一种巨量转印头、转印设备及发光二极管芯片的转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910243046.9

申请日：

2019-03-28

公开(公告)号：

CN109920754A

公开(公告)日：

2019-06-21

发明(设计)人：

刘英伟梁爽狄沐昕梁志伟王珂任庆荣

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L21687 H01L2715

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

郭润湘

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-12	授权	授权
2019-06-21	公开	公开
2019-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20190328

共 50 条

[1]

一种转印基板、转印设备及发光二极管芯片的转移方法 [P].

董水浪 ;

王利忠 ;

刘清召 ;

党宁 ;

谷新 .

中国专利 :CN109637957A ,2019-04-16

[2]

微发光二极管芯片巨量转移方法 [P].

张嘉修 ;

锺光韦 ;

江仁杰 .

中国专利 :CN112992757B ,2021-06-18

[3]

微发光二极管转印头 [P].

安范模 ;

朴胜浩 .

中国专利 :CN110323172A ,2019-10-11

[4]

微发光二极管转印头 [P].

安范模 ;

朴胜浩 ;

边圣铉 .

中国专利 :CN110648956A ,2020-01-03

[5]

微发光二极管转印头 [P].

安范模 ;

朴胜浩 ;

边圣铉 .

中国专利 :CN110690157A ,2020-01-14

[6]

微发光二极管芯片巨量转移方法及系统 [P].

李欣曈 ;

洪温振 .

中国专利 :CN112992720B ,2021-06-18

[7]

发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片 [P].

张圣君 ;

胡根水 ;

孙虎 ;

李俊生 .

中国专利 :CN112820808A ,2021-05-18

[8]

发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 [P].

游云梦 ;

王佳 ;

芮哲 ;

田宇航 ;

马国强 ;

夏群 ;

刘战祥 .

中国专利 :CN118588817A ,2024-09-03

[9]

发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 [P].

王思博 ;

孟芳芳 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN110010733A ,2019-07-12

[10]

发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法 [P].

周弘毅 ;

李俊贤 ;

吕奇孟 ;

李健 ;

王锐 .

中国专利 :CN110729387B ,2020-01-24

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