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发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911015317.1
申请日
:
2019-10-24
公开(公告)号
:
CN110729387B
公开(公告)日
:
2020-01-24
发明(设计)人
:
周弘毅
李俊贤
吕奇孟
李健
王锐
申请人
:
申请人地址
:
361100 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
IPC主分类号
:
H01L3338
IPC分类号
:
H01L3344
代理机构
:
北京超成律师事务所 11646
代理人
:
刘静
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-01-24
公开
公开
2020-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20191024
2020-10-23
授权
授权
共 50 条
[1]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法
[P].
刘珊珊
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘珊珊
;
纪思美
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0
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纪思美
;
陈顺利
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0
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陈顺利
;
李士涛
论文数:
0
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0
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0
李士涛
.
中国专利
:CN112510133A
,2021-03-16
[2]
发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片
[P].
张圣君
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0
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0
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0
张圣君
;
胡根水
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0
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0
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0
胡根水
;
孙虎
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙虎
;
李俊生
论文数:
0
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李俊生
.
中国专利
:CN112820808A
,2021-05-18
[3]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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0
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0
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0
冈村卓
;
北村宏
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0
北村宏
.
中国专利
:CN107611086A
,2018-01-19
[4]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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0
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0
冈村卓
.
中国专利
:CN108538994A
,2018-09-14
[5]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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0
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冈村卓
.
中国专利
:CN108400111A
,2018-08-14
[6]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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0
冈村卓
.
中国专利
:CN107706292A
,2018-02-16
[7]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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冈村卓
.
中国专利
:CN107464860A
,2017-12-12
[8]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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0
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0
冈村卓
;
北村宏
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北村宏
.
中国专利
:CN107611237A
,2018-01-19
[9]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
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冈村卓
;
北村宏
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0
北村宏
.
中国专利
:CN108538993A
,2018-09-14
[10]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
[P].
冈村卓
论文数:
0
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0
冈村卓
.
中国专利
:CN108400204A
,2018-08-14
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