发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911015317.1
申请日
2019-10-24
公开(公告)号
CN110729387B
公开(公告)日
2020-01-24
发明(设计)人
周弘毅 李俊贤 吕奇孟 李健 王锐
申请人
申请人地址
361100 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
IPC主分类号
H01L3338
IPC分类号
H01L3344
代理机构
北京超成律师事务所 11646
代理人
刘静
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P]. 
刘珊珊 ;
纪思美 ;
陈顺利 ;
李士涛 .
中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16
[2]
发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片 [P]. 
张圣君 ;
胡根水 ;
孙虎 ;
李俊生 .
中国专利 :CN112820808A ,2021-05-18
[3]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN107611086A ,2018-01-19
[4]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN108538994A ,2018-09-14
[5]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN108400111A ,2018-08-14
[6]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN107706292A ,2018-02-16
[7]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN107464860A ,2017-12-12
[8]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN107611237A ,2018-01-19
[9]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN108538993A ,2018-09-14
[10]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN108400204A ,2018-08-14