抗软错误的SRAM存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110811725.9

申请日：

2021-07-19

公开(公告)号：

CN113593620A

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

刘中阳肖军

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

G11C11412

IPC分类号：

G11C11417 G11C710

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/412 申请日:20210719
2021-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

容双节点翻转的SRAM存储单元 [P].

刘中阳 ;

肖军 .

中国专利 :CN113593621A ,2021-11-02

[2]

提高读可靠性的SRAM存储单元 [P].

张海能 .

中国专利 :CN113724754A ,2021-11-30

[3]

SRAM存储单元 [P].

蒋建伟 .

中国专利 :CN111415691A ,2020-07-14

[4]

一种SRAM存储单元、存储器及SRAM存储单元的读写方法 [P].

李博 ;

苏泽鑫 ;

宿晓慧 ;

刘凡宇 ;

杨灿 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112992224B ,2021-06-18

[5]

SRAM存储单元 [P].

刘中阳 ;

杨光华 ;

潘炯 .

中国专利 :CN113851178A ,2021-12-28

[6]

SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器 [P].

赵立新 ;

董小英 ;

俞大立 ;

乔劲轩 .

中国专利 :CN103700397A ,2014-04-02

[7]

抗软错误的SRAM [P].

刘中阳 ;

肖军 .

中国专利 :CN113851177B ,2025-03-25

[8]

抗软错误的SRAM [P].

刘中阳 ;

肖军 .

中国专利 :CN113851177A ,2021-12-28

[9]

抗软错误的SRAM [P].

刘中阳 ;

肖军 .

中国专利 :CN113851176A ,2021-12-28

[10]

抗软错误的SRAM [P].

刘中阳 ;

肖军 .

中国专利 :CN113851176B ,2024-12-06

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