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抗软错误的SRAM存储单元

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110811725.9
申请日：
2021-07-19
公开(公告)号：
CN113593620A
公开(公告)日：
2021-11-02
发明(设计)人：
刘中阳 肖军
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
G11C11412
IPC分类号：
G11C11417 G11C710
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/412 申请日:20210719
2021-11-02 公开 公开
共 50 条
[41]
一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法 [P]. 
王楠 ;
王媛 ;
李煜 ;
王颖倩 .
中国专利 :CN105448328B ,2016-03-30
[42]
一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法 [P]. 
王颖倩 ;
王楠 ;
李煜 ;
王媛 .
中国专利 :CN105336358B ,2016-02-17
[43]
SRAM存储单元及其版图 [P]. 
吴栋诚 ;
范茂成 .
中国专利 :CN120032673A ,2025-05-23
[44]
一种抗单粒子反转的SRAM存储单元电路及存储器 [P]. 
刘佳林 ;
任荣康 ;
李建成 ;
陆时进 ;
刘琳 ;
赵佳 ;
黄新壮 ;
刘晨静 ;
刘劭璠 .
中国专利 :CN118230787A ,2024-06-21
[45]
SRAM存储单元及存储阵列 [P]. 
王林 .
中国专利 :CN105448324B ,2016-03-30
[46]
SRAM存储单元及存储阵列 [P]. 
贾嵩 ;
刘俐敏 ;
徐鹤卿 ;
吴峰锋 ;
王源 ;
张钢刚 .
中国专利 :CN102760486A ,2012-10-31
[47]
SRAM存储单元及存储阵列 [P]. 
王林 .
中国专利 :CN105225690B ,2016-01-06
[48]
基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片 [P]. 
胡薇 ;
强斌 ;
彭春雨 ;
卢文娟 ;
赵强 ;
戴成虎 ;
郝礼才 ;
王亚玲 ;
吴秀龙 .
中国专利 :CN115565578B ,2024-04-09
[49]
基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片 [P]. 
胡薇 ;
强斌 ;
彭春雨 ;
卢文娟 ;
赵强 ;
戴成虎 ;
郝礼才 ;
王亚玲 ;
吴秀龙 .
中国专利 :CN115565578A ,2023-01-03
[50]
一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法 [P]. 
李博 ;
苏泽鑫 ;
宿晓慧 ;
刘凡宇 ;
杨灿 ;
罗家俊 ;
韩郑生 .
中国专利 :CN112992221A ,2021-06-18
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