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抗软错误的SRAM存储单元
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110811725.9
申请日：
2021-07-19
公开(公告)号：
CN113593620A
公开(公告)日：
2021-11-02
发明(设计)人：
刘中阳
肖军
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
G11C11412
IPC分类号：
G11C11417
G11C710
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-11-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/412 申请日:20210719 |
| 2021-11-02 | 公开 | 公开 |