纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111401694.6

申请日：

2021-11-24

公开(公告)号：

CN114141916A

公开(公告)日：

2022-03-04

发明(设计)人：

孙捷黄铭水严群田亮潘魁叶芸郭太良

申请人：

申请人地址：

350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L3312 H01L3338

代理机构：

福州元创专利商标代理有限公司 35100

代理人：

丘鸿超;蔡学俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20211124
2022-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Micro LED芯片及其制备方法 [P].

刘召军 ;

刘时彪 ;

张胡梦圆 ;

宿志浩 ;

刘亚莹 .

中国专利 :CN113421952A ,2021-09-21

[2]

LED芯片制备方法及LED芯片 [P].

郑远志 ;

盛成功 ;

陈向东 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN103681995A ,2014-03-26

[3]

倒装高压LED芯片及其制备方法 [P].

王冬雷 ;

陈顺利 ;

莫庆伟 .

中国专利 :CN104779339A ,2015-07-15

[4]

LED芯片及其制备方法 [P].

王远红 ;

许亚兵 ;

林振贤 ;

何大庆 .

中国专利 :CN101944563A ,2011-01-12

[5]

具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

谭礼军 ;

姚若河 ;

王楷 ;

谢子敬 .

中国专利 :CN111916536A ,2020-11-10

[6]

具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

谭礼军 ;

姚若河 ;

王楷 ;

谢子敬 .

中国专利 :CN111916536B ,2024-08-23

[7]

纳米尺寸EuSe结晶及纳米尺寸EuSe结晶的制造方法 [P].

长谷川靖哉 ;

河合壮 ;

安达隆明 .

中国专利 :CN101395089B ,2009-03-25

[8]

LED外延片及其制备方法、LED芯片及其制备方法 [P].

张向鹏 ;

王晓宇 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117476831A ,2024-01-30

[9]

LED外延片及其制备方法、LED芯片及其制备方法 [P].

张向鹏 ;

王晓宇 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117476831B ,2024-03-19

[10]

一种LED芯片及其制备方法 [P].

黄宁湘 ;

许亚兵 ;

罗正加 .

中国专利 :CN102157639A ,2011-08-17

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