用于控制IGBT晶体管的设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520107933.0

申请日：

2015-02-13

公开(公告)号：

CN204836112U

公开(公告)日：

2015-12-02

发明(设计)人：

米科·萨里南

申请人：

申请人地址：

芬兰赫尔辛基

IPC主分类号：

H03K17567

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-02	授权	授权
2019-05-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H03K 17/567 登记生效日:20190412 变更事项:专利权人变更前权利人:ABB技术有限公司变更后权利人:ABB瑞士股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:芬兰赫尔辛基变更后权利人:瑞士巴登

共 50 条

[1]

水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P].

邱秀华 ;

邱嘉龙 ;

李志军 ;

朱永斌 ;

何祖辉 .

中国专利 :CN212542414U ,2021-02-12

[2]

一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT [P].

乐双申 ;

陈兆萍 .

中国专利 :CN119325245A ,2025-01-17

[3]

晶体管模块和晶体管模块的制造方法 [P].

刘子俭 ;

陈道坤 ;

储金星 .

中国专利 :CN118507516A ,2024-08-16

[4]

晶体管模块和晶体管模块的制造方法 [P].

刘子俭 ;

陈道坤 ;

储金星 .

中国专利 :CN118507516B ,2025-01-14

[5]

绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 .

中国专利 :CN114512537A ,2022-05-17

[6]

一种用于IGBT绝缘栅双极型晶体管的测试适配器 [P].

冯振平 ;

杨行 .

中国专利 :CN207752106U ,2018-08-21

[7]

平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管 [P].

周倩 .

中国专利 :CN213071147U ,2021-04-27

[8]

绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法 [P].

潘光燃 ;

石金成 ;

王焜 ;

文燕 ;

高振杰 .

中国专利 :CN104347399B ,2015-02-11

[9]

水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P].

言锦春 .

中国专利 :CN207765432U ,2018-08-24

[10]

绝缘栅双极晶体管(IGBT) [P].

细谷拓己 .

中国专利 :CN206022371U ,2017-03-15

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