一种紫外纳米压印光刻自动脱模系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010492615.6

申请日：

2020-06-03

公开(公告)号：

CN111522197A

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

龚健文胡松于军胜赵立新杨勇杜婧

申请人：

申请人地址：

610209 四川省成都市双流350信箱

IPC主分类号：

G03F700

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20200603
2020-08-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种紫外纳米压印光刻自动脱模系统和方法 [P].

龚健文 ;

胡松 ;

于军胜 ;

赵立新 ;

杨勇 ;

杜婧 .

中国专利 :CN111522197B ,2024-04-02

[2]

一种紫外纳米压印光刻自动脱模系统 [P].

龚健文 ;

胡松 ;

于军胜 ;

赵立新 ;

杨勇 ;

杜婧 .

中国专利 :CN213149470U ,2021-05-07

[3]

一种简易紫外纳米压印光刻装置 [P].

兰俊 ;

刘锡 ;

杨勇 ;

陈磊 ;

余斯洋 ;

龚健文 ;

赵立新 ;

胡松 .

中国专利 :CN113031391A ,2021-06-25

[4]

纳米压印光刻模具、拼接系统和方法 [P].

E·索伊奇 ;

F·高 ;

Z·彭 ;

S·沃 .

美国专利 :CN118414581A ,2024-07-30

[5]

一种紫外纳米压印系统 [P].

谢惠民 ;

唐敏锦 ;

戴相录 ;

张建民 .

中国专利 :CN102944976A ,2013-02-27

[6]

具有对准式自动脱模紫外纳米压印装置及方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN103926790A ,2014-07-16

[7]

一种纳米压印光刻装置及其方法 [P].

袁伟 .

中国专利 :CN103488046B ,2014-01-01

[8]

一种纳米压印光刻机 [P].

陈杰相 .

中国专利 :CN215376079U ,2021-12-31

[9]

一种纳米压印光刻机 [P].

姜骥 ;

谢常青 ;

岑专专 ;

商立伟 ;

刘兴华 ;

刘明 .

中国专利 :CN101452207A ,2009-06-10

[10]

一种纳米压印光刻机 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN215297936U ,2021-12-24

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