一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210770109.8

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115608380A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

董文钧王星李宝珍周冬雪薛祥东

申请人：

申请人地址：

528300 广东省佛山市顺德区大良致慧路2号

IPC主分类号：

B01J27047

IPC分类号：

B01J3708 C01B304

代理机构：

杭州君锐知产专利代理事务所(普通合伙) 33443

代理人：

黄欢娣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/047 申请日:20220630

共 50 条

[1]

一种单层过渡金属硫化物的制备方法 [P].

刘松 ;

刘航 .

中国专利 :CN111285402B ,2020-06-16

[2]

一种过渡金属硫化物的快速制备方法 [P].

吕瑞涛 ;

王旭阳 ;

甘鑫 ;

黄正宏 ;

康飞宇 .

中国专利 :CN105819512A ,2016-08-03

[3]

一种单层过渡金属硫化物的制备方法 [P].

谢黎明 ;

巩凡 .

中国专利 :CN110607561A ,2019-12-24

[4]

一种过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

朱慧平 ;

熊国栋 ;

李博 ;

王磊 ;

郑中山 ;

李梦达 .

中国专利 :CN115818717B ,2024-12-17

[5]

一种过渡金属硫化物合金制备方法 [P].

王一菁 ;

袁华堂 ;

焦丽芳 ;

宋大卫 ;

王亚平 ;

刘光 ;

任秋丽 .

中国专利 :CN101423200B ,2009-05-06

[6]

一种过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

朱慧平 ;

熊国栋 ;

李博 ;

王磊 ;

郑中山 ;

李梦达 .

中国专利 :CN115820251B ,2024-04-05

[7]

锂过渡金属硫化物的合成方法 [P].

A·G·里奇 ;

P·G·鲍尔斯 .

中国专利 :CN1210826C ,2004-04-14

[8]

一种过渡金属硫化物的室温快速制备方法 [P].

王泽宇 ;

李蔓妮 ;

赵信毅 ;

朱强 ;

李洪亮 ;

雷玉成 .

中国专利 :CN114368775A ,2022-04-19

[9]

一种过渡金属硫化物插锂的制备方法 [P].

林碧洲 ;

许百环 .

中国专利 :CN1931725A ,2007-03-21

[10]

过渡金属硫化物的半导体组件 [P].

M·拉多萨夫列维奇 ;

B·S·多伊尔 ;

R·皮拉里塞泰 ;

N·慕克吉 ;

S·达斯古普塔 ;

H·W·田 ;

R·S·周 .

中国专利 :CN106030807A ,2016-10-12

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