反应烧结氮化硅粉技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510070891.9

申请日：

2005-05-23

公开(公告)号：

CN1868966A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

张喜民胡京平石宁苗赫濯

申请人：

申请人地址：

100096北京市海淀区西三旗东建材城2号工业区清华紫光方大公司

IPC主分类号：

C04B35591

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-29	公开	公开
2009-02-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氮化硅烧结基板 [P].

满村典平 ;

草野大 ;

河合秀昭 .

中国专利 :CN115702130A ,2023-02-14

[2]

氮化硅烧结体 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN119968349A ,2025-05-09

[3]

氮化硅粉的除杂装置、氮化硅粉生产系统 [P].

许明海 ;

余洋 ;

张虎君 ;

黄永远 ;

王兴园 ;

于志轩 ;

程争宁 ;

高树功 .

中国专利 :CN222111787U ,2024-12-06

[4]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN121175284A ,2025-12-19

[5]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN120152947A ,2025-06-13

[6]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[7]

高致密氮化硅反应烧结体的快速制备方法 [P].

庄汉锐 ;

李文兰 ;

华道权 ;

邬凤英 ;

符锡仁 ;

严东生 .

中国专利 :CN1037132A ,1989-11-15

[8]

氮化硅粉处理设备 [P].

杨雪峰 ;

于红黎 ;

倪伟国 .

中国专利 :CN212188741U ,2020-12-22

[9]

氮化硅烧结体及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN118541339A ,2024-08-23

[10]

氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN108495831B ,2018-09-04

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