等离子体控制方法及等离子体控制装置

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专利类型
发明
申请号
CN201010157692.2
申请日
2005-11-21
公开(公告)号
CN101835338A
公开(公告)日
2010-09-15
发明(设计)人
下泽慎
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H05H146
IPC分类号
C23F400
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体控制方法及等离子体控制装置 [P]. 
下泽慎 .
中国专利 :CN1783429A ,2006-06-07
[2]
等离子体处理装置和等离子体控制方法 [P]. 
輿水地盐 ;
传宝一树 .
中国专利 :CN102376521A ,2012-03-14
[3]
等离子体控制 [P]. 
伊兰·奥列格·乌奇特尔 ;
包里斯·科根 .
:CN117769397A ,2024-03-26
[4]
等离子体控制装置 [P]. 
速水利泰 ;
藤井竜介 .
中国专利 :CN108353493B ,2018-07-31
[5]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[6]
等离子体控制系统及等离子体控制程序 [P]. 
岩苔翼 ;
岸田茂明 .
中国专利 :CN114080864A ,2022-02-22
[7]
等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质 [P]. 
斋藤祐介 ;
大岩德久 .
中国专利 :CN110364411A ,2019-10-22
[8]
等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P]. 
熊谷裕典 ;
今井伸一 .
中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04
[9]
等离子体切割方法及等离子体切割装置 [P]. 
小池哲夫 ;
古城昭 ;
平井隆太 .
中国专利 :CN101541464A ,2009-09-23
[10]
等离子体CVD装置及等离子体CVD方法 [P]. 
坂本桂太郎 ;
藤内俊平 ;
江尻广惠 ;
野村文保 .
中国专利 :CN105051252A ,2015-11-11