半导体装置及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680003094.5

申请日：

2016-10-18

公开(公告)号：

CN107077639A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

黑川义元

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

G06N3063

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06N 3/063 申请日:20161018
2017-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及电子设备 [P].

黑川义元 .

中国专利 :CN107273973B ,2017-10-20

[2]

半导体装置及电子设备 [P].

大嶋和晃 ;

国武宽司 .

中国专利 :CN115053344A ,2022-09-13

[3]

半导体装置及电子设备 [P].

山崎舜平 ;

国武宽司 ;

和田理人 ;

加藤清 ;

大贯达也 .

日本专利 :CN118160094A ,2024-06-07

[4]

半导体装置和电子设备 [P].

西山优范 .

中国专利 :CN103367459B ,2013-10-23

[5]

半导体装置以及电子设备 [P].

乡户宏充 ;

国武宽司 ;

津田一树 .

中国专利 :CN114787986A ,2022-07-22

[6]

半导体装置、模块及电子设备 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN106415850B ,2017-02-15

[7]

半导体器件及电子设备 [P].

霍间勇辉 ;

三和宽之 ;

永富久乘 ;

川岛绘美 ;

岩濑信博 .

日本专利 :CN121058361A ,2025-12-02

[8]

半导体装置、半导体晶片以及电子设备 [P].

佐藤绘莉 ;

大贯达也 ;

八洼裕人 ;

国武宽司 .

中国专利 :CN112888952A ,2021-06-01

[9]

半导体装置及电子设备 [P].

福留贵浩 .

中国专利 :CN113314545A ,2021-08-27

[10]

半导体装置及电子设备 [P].

小山润 ;

梅崎敦司 .

中国专利 :CN102024410A ,2011-04-20

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