RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210281659.X

申请日：

2012-08-09

公开(公告)号：

CN103035506A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

吴智勇肖胜安

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452524571 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:201210281659X 申请日:20120809
2015-10-14	授权	授权
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691892053 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:201210281659X 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140116
2013-04-10	公开	公开

共 50 条

[1]

深沟槽刻蚀方法 [P].

姚嫦娲 ;

杨华 ;

刘鹏 ;

陈东强 .

中国专利 :CN102479676A ,2012-05-30

[2]

刻蚀和填充深沟槽的方法 [P].

程晓华 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN102280402A ,2011-12-14

[3]

RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法 [P].

周正良 ;

遇寒 .

中国专利 :CN103137540B ,2013-06-05

[4]

深沟槽的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

姚道州 ;

赵志 ;

任婷婷 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN118248540A ,2024-06-25

[5]

深沟槽隔离的制造方法 [P].

李娜 .

中国专利 :CN109166817A ,2019-01-08

[6]

超深沟槽的多级刻蚀与填充方法 [P].

钱文生 ;

王飞 .

中国专利 :CN101752225A ,2010-06-23

[7]

顶层金属层沟槽的刻蚀方法 [P].

张城龙 ;

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103515222A ,2014-01-15

[8]

沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构 [P].

唐博文 ;

徐妍 .

中国专利 :CN120809578A ,2025-10-17

[9]

RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构及制作方法 [P].

吴智勇 ;

肖胜安 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN103050534A ,2013-04-17

[10]

一种改善RFLDMOS深沟槽金属填充形貌的方法 [P].

王春 ;

季伟 ;

周正良 .

中国专利 :CN106024703A ,2016-10-12

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