超深沟槽的多级刻蚀与填充方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810044051.9

申请日：

2008-12-04

公开(公告)号：

CN101752225A

公开(公告)日：

2010-06-23

发明(设计)人：

钱文生王飞

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

周赤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004899737 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2008100440519 申请日:20081204
2010-06-23	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689508394 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2008100440519 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2011-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

刻蚀和填充深沟槽的方法 [P].

程晓华 ;

肖胜安 .

中国专利 :CN102280402A ,2011-12-14

[2]

深沟槽刻蚀方法 [P].

姚嫦娲 ;

杨华 ;

刘鹏 ;

陈东强 .

中国专利 :CN102479676A ,2012-05-30

[3]

深沟槽刻蚀方法 [P].

陈跃华 ;

熊磊 .

中国专利 :CN113506734A ,2021-10-15

[4]

深沟槽的刻蚀方法 [P].

郭海亮 ;

姚道州 ;

赵志 ;

任婷婷 ;

汪健 ;

王玉新 .

中国专利 :CN118248540A ,2024-06-25

[5]

深沟槽刻蚀方法 [P].

周策 ;

谭理 ;

殷敏 ;

王玉新 ;

丁佳 .

中国专利 :CN119108275A ,2024-12-10

[6]

超结器件的深沟槽外延的填充方法 [P].

李睿 ;

曹志伟 ;

张召 ;

余文达 ;

王琦 ;

白鑫 ;

聂超 .

中国专利 :CN119297071A ,2025-01-10

[7]

超结结构的深沟槽填充方法 [P].

陶有飞 ;

钱慧 .

中国专利 :CN102184884A ,2011-09-14

[8]

超结结构的深沟槽填充方法 [P].

陶有飞 .

中国专利 :CN102184883A ,2011-09-14

[9]

深沟槽的填充方法 [P].

陈跃华 ;

孟艳秋 .

中国专利 :CN120280400A ,2025-07-08

[10]

深沟槽填充方法 [P].

缪燕 ;

谢烜 ;

季伟 ;

彭虎 .

中国专利 :CN101887852A ,2010-11-17

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