半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580042067.0

申请日：

2005-12-01

公开(公告)号：

CN101073125A

公开(公告)日：

2007-11-14

发明(设计)人：

守屋芳隆安部宽子汤川干央野村亮二

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

G11C1302

IPC分类号：

G11C1122

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-14	公开	公开
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 13/02 申请日:20051201 授权公告日:20120530 终止日期:20171201
2012-05-30	授权	授权
2008-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

安部宽子 ;

汤川干央 ;

高野圭惠 ;

浅见良信 ;

加藤清 ;

野村亮二 ;

守屋芳隆 .

中国专利 :CN100576557C ,2008-02-20

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

桥本广司 ;

高田和彦 .

中国专利 :CN100429790C ,2005-10-19

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大力浩二 .

中国专利 :CN100521117C ,2007-02-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN102792677B ,2012-11-21

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑川义元 ;

池田隆之 ;

田村辉 ;

上妻宗广 ;

池田匡孝 ;

青木健 .

中国专利 :CN104979369A ,2015-10-14

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

高桥史年 ;

国清辰也 ;

佐藤英则 ;

后藤洋太郎 .

中国专利 :CN108807436A ,2018-11-13

[7]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[8]

半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

张衡 ;

孟美灵 ;

杨婷 .

中国专利 :CN119092488B ,2025-04-01

[9]

半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

张衡 ;

孟美灵 ;

杨婷 .

中国专利 :CN119092488A ,2024-12-06

[10]

半导体器件 [P].

守屋芳隆 ;

安部宽子 ;

汤川干央 ;

野村亮二 .

中国专利 :CN102682837B ,2012-09-19

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