降低半导体器件反向漏电流的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711472968.4

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN108364868A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

魏兴政李浩

申请人：

申请人地址：

250204 山东省济南市章丘区明水街道办事处赭山工业园

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20171229
2018-08-03	公开	公开
2022-07-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/329 申请公布日:20180803

共 50 条

[1]

降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法 [P].

谭开洲 ;

唐昭焕 ;

刘嵘侃 ;

刘勇 .

中国专利 :CN103413822A ,2013-11-27

[2]

半导体器件漏电流检测方法 [P].

苏鼎杰 ;

黄俊诚 ;

郑敏祺 ;

程仁豪 ;

陈文桥 .

中国专利 :CN101105518A ,2008-01-16

[3]

降低半导体芯片漏电流的方法 [P].

欧新华 ;

杨利君 ;

孙志斌 .

中国专利 :CN102315120B ,2012-01-11

[4]

半导体器件中降低栅致漏极漏电流 [P].

K·巴拉苏布拉曼亚姆 ;

M·加尔 ;

J·P·加姆比诺 ;

J·A·曼德尔曼 .

中国专利 :CN1202563C ,2000-11-01

[5]

降低栅源反向漏电流的方法 [P].

高斌 ;

田磊 ;

刘景望 ;

余健魁 .

中国专利 :CN119361423A ,2025-01-24

[6]

测量半导体器件结区漏电流的方法 [P].

张世亿 ;

宋泰植 .

中国专利 :CN1079168C ,1997-02-26

[7]

有降低漏电流的晶体管的半导体器件及其制造方法 [P].

小林研 .

中国专利 :CN1185661A ,1998-06-24

[8]

具有漏电流补偿电路的半导体器件 [P].

长谷川贤 .

中国专利 :CN1790217A ,2006-06-21

[9]

具有改善栅极漏电流的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682066A ,2020-09-18

[10]

降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置 [P].

黄宗勋 ;

林国楹 ;

喻中一 ;

吴志达 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN1877793A ,2006-12-13

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