测量半导体器件结区漏电流的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96106893.0

申请日：

1996-07-01

公开(公告)号：

CN1079168C

公开(公告)日：

1997-02-26

发明(设计)人：

张世亿宋泰植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-02-26	公开	公开
2011-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101103911424 IPC(主分类):H01L 21/66 专利号:ZL961068930 申请日:19960701 授权公告日:20020213 终止日期:20100701
1997-02-05	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2002-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件漏电流检测方法 [P].

苏鼎杰 ;

黄俊诚 ;

郑敏祺 ;

程仁豪 ;

陈文桥 .

中国专利 :CN101105518A ,2008-01-16

[2]

降低半导体器件反向漏电流的方法 [P].

魏兴政 ;

李浩 .

中国专利 :CN108364868A ,2018-08-03

[3]

降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法 [P].

谭开洲 ;

唐昭焕 ;

刘嵘侃 ;

刘勇 .

中国专利 :CN103413822A ,2013-11-27

[4]

一种功率半导体器件漏电流测量电路 [P].

谢冰 ;

孙泰 ;

陈如意 .

中国专利 :CN223272630U ,2025-08-26

[5]

具有漏电流补偿电路的半导体器件 [P].

长谷川贤 .

中国专利 :CN1790217A ,2006-06-21

[6]

具有改善栅极漏电流的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682066A ,2020-09-18

[7]

改善半导体器件的截止漏电流发散的方法 [P].

王媛 ;

叶好华 .

中国专利 :CN102130054A ,2011-07-20

[8]

半导体器件及其结边缘区 [P].

杜文芳 .

中国专利 :CN210984729U ,2020-07-10

[9]

半导体器件及其结边缘区 [P].

杜文芳 .

中国专利 :CN211480034U ,2020-09-11

[10]

半导体器件及其结边缘区 [P].

杜文芳 .

中国专利 :CN111697062A ,2020-09-22

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