改善半导体器件的截止漏电流发散的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010023134.7

申请日：

2010-01-20

公开(公告)号：

CN102130054A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

王媛叶好华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;顾珊

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101502201372 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2010100231347 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121221
2011-07-20	公开	公开
2013-05-01	授权	授权
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102913873 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2010100231347 申请日:20100120

共 50 条

[1]

具有改善栅极漏电流的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682066A ,2020-09-18

[2]

改善半导体结构漏电流的方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106653603A ,2017-05-10

[3]

降低半导体器件反向漏电流的方法 [P].

魏兴政 ;

李浩 .

中国专利 :CN108364868A ,2018-08-03

[4]

半导体器件漏电流检测方法 [P].

苏鼎杰 ;

黄俊诚 ;

郑敏祺 ;

程仁豪 ;

陈文桥 .

中国专利 :CN101105518A ,2008-01-16

[5]

改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法 [P].

佘俊弘 ;

高杏 .

中国专利 :CN121099686A ,2025-12-09

[6]

降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法 [P].

谭开洲 ;

唐昭焕 ;

刘嵘侃 ;

刘勇 .

中国专利 :CN103413822A ,2013-11-27

[7]

测量半导体器件结区漏电流的方法 [P].

张世亿 ;

宋泰植 .

中国专利 :CN1079168C ,1997-02-26

[8]

改善半导体器件电性参数的方法 [P].

谢博圣 ;

钱俊 ;

王艳生 .

中国专利 :CN103337458B ,2013-10-02

[9]

具有漏电流补偿电路的半导体器件 [P].

长谷川贤 .

中国专利 :CN1790217A ,2006-06-21

[10]

具有充裕驱动电流和减小结漏电流的半导体器件 [P].

郑星雄 ;

李相敦 .

中国专利 :CN100505258C ,2007-09-26

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