具有充裕驱动电流和减小结漏电流的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610106179.4

申请日：

2006-07-20

公开(公告)号：

CN100505258C

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

郑星雄李相敦

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2978 H01L2182 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-26	公开	公开
2007-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-24	授权	授权
2014-09-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586801123 IPC(主分类):H01L 27/02 专利号:ZL2006101061794 申请日:20060720 授权公告日:20090624 终止日期:20130720

共 50 条

[1]

具有改善栅极漏电流的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682066A ,2020-09-18

[2]

具有电流减小结构的发光器件和形成具有电流减小结构的发光器件的方法 [P].

D·T·埃默森 ;

K·哈贝雷恩 ;

M·J·伯格曼 ;

D·斯拉特 ;

M·多诺夫里奥 ;

J·埃蒙德 .

中国专利 :CN101681961A ,2010-03-24

[3]

具有漏电流补偿电路的半导体器件 [P].

长谷川贤 .

中国专利 :CN1790217A ,2006-06-21

[4]

半导体器件漏电流检测方法 [P].

苏鼎杰 ;

黄俊诚 ;

郑敏祺 ;

程仁豪 ;

陈文桥 .

中国专利 :CN101105518A ,2008-01-16

[5]

在关状态无漏电流的半导体器件及其制造方法 [P].

樋口实 .

中国专利 :CN1201258A ,1998-12-09

[6]

具有增大的沟道面积及减小的漏电流的半导体元件 [P].

郑星雄 ;

李相敦 .

中国专利 :CN101043050A ,2007-09-26

[7]

降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法 [P].

谭开洲 ;

唐昭焕 ;

刘嵘侃 ;

刘勇 .

中国专利 :CN103413822A ,2013-11-27

[8]

半导体集成电路和漏电流减小方法 [P].

广田诚 ;

菊池秀和 .

中国专利 :CN101038788B ,2007-09-19

[9]

降低半导体器件反向漏电流的方法 [P].

魏兴政 ;

李浩 .

中国专利 :CN108364868A ,2018-08-03

[10]

减小漏电流的半导体存储器 [P].

飞田洋一 .

中国专利 :CN1162818A ,1997-10-22

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