半导体器件漏电流检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610028787.8

申请日：

2006-07-10

公开(公告)号：

CN101105518A

公开(公告)日：

2008-01-16

发明(设计)人：

苏鼎杰黄俊诚郑敏祺程仁豪陈文桥

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101239505026 IPC(主分类):G01R 31/26 专利号:ZL2006100287878 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111109
2008-01-16	公开	公开
2020-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20060710 授权公告日:20100512 终止日期:20190710
2010-05-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的电流检测方法和半导体器件 [P].

相马治 ;

上村圣 ;

天田健嗣 .

中国专利 :CN106053929A ,2016-10-26

[2]

降低半导体器件反向漏电流的方法 [P].

魏兴政 ;

李浩 .

中国专利 :CN108364868A ,2018-08-03

[3]

降低浮空埋层半导体器件漏电流的方法 [P].

谭开洲 ;

唐昭焕 ;

刘嵘侃 ;

刘勇 .

中国专利 :CN103413822A ,2013-11-27

[4]

测量半导体器件结区漏电流的方法 [P].

张世亿 ;

宋泰植 .

中国专利 :CN1079168C ,1997-02-26

[5]

具有漏电流补偿电路的半导体器件 [P].

长谷川贤 .

中国专利 :CN1790217A ,2006-06-21

[6]

具有改善栅极漏电流的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682066A ,2020-09-18

[7]

改善半导体器件的截止漏电流发散的方法 [P].

王媛 ;

叶好华 .

中国专利 :CN102130054A ,2011-07-20

[8]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102778642B ,2012-11-14

[9]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102214549A ,2011-10-12

[10]

具有充裕驱动电流和减小结漏电流的半导体器件 [P].

郑星雄 ;

李相敦 .

中国专利 :CN100505258C ,2007-09-26

← 1 2 3 4 5 →