具有改善栅极漏电流的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010564680.5

申请日：

2020-06-19

公开(公告)号：

CN111682066A

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

廖航赵起越李长安王超周春华黄敬源

申请人：

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2947 H01L29423 H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王允方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200619
2020-09-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有漏电流补偿电路的半导体器件 [P].

长谷川贤 .

中国专利 :CN1790217A ,2006-06-21

[2]

改善半导体结构漏电流的方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106653603A ,2017-05-10

[3]

具有非对称栅极结构的半导体器件 [P].

廖航 ;

赵起越 ;

李长安 ;

王超 ;

周春华 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111682065A ,2020-09-18

[4]

改善半导体器件的截止漏电流发散的方法 [P].

王媛 ;

叶好华 .

中国专利 :CN102130054A ,2011-07-20

[5]

具有充裕驱动电流和减小结漏电流的半导体器件 [P].

郑星雄 ;

李相敦 .

中国专利 :CN100505258C ,2007-09-26

[6]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

三浦喜直 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN108735810A ,2018-11-02

[8]

半导体器件漏电流检测方法 [P].

苏鼎杰 ;

黄俊诚 ;

郑敏祺 ;

程仁豪 ;

陈文桥 .

中国专利 :CN101105518A ,2008-01-16

[9]

具有辅助栅极结构的功率半导体器件 [P].

弗洛林·乌德雷亚 ;

马丁·阿诺德 ;

洛伊佐斯·埃夫蒂米乌 ;

焦尔贾·隆戈巴尔迪 ;

保罗·瑞安 .

英国专利 :CN120379302A ,2025-07-25

[10]

具有辅助栅极结构的功率半导体器件 [P].

弗洛林·乌德雷亚 ;

马丁·阿诺德 ;

洛伊佐斯·埃夫蒂米乌 ;

焦尔贾·隆戈巴尔迪 ;

保罗·瑞安 .

中国专利 :CN113826205A ,2021-12-21

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