具有改善栅极漏电流的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010564680.5

申请日：

2020-06-19

公开(公告)号：

CN111682066A

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

廖航赵起越李长安王超周春华黄敬源

申请人：

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2947 H01L29423 H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王允方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200619
2020-09-18	公开	公开

共 50 条

[41]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[42]

测量半导体器件结区漏电流的方法 [P].

张世亿 ;

宋泰植 .

中国专利 :CN1079168C ,1997-02-26

[43]

半导体器件和包括半导体器件的半导体电路 [P].

约翰·谷内 .

中国专利 :CN105793997A ,2016-07-20

[44]

具有掩埋栅极电极结构的半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

M.莱姆克 ;

S.特根 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN104282544A ,2015-01-14

[45]

半导体器件中降低栅致漏极漏电流 [P].

K·巴拉苏布拉曼亚姆 ;

M·加尔 ;

J·P·加姆比诺 ;

J·A·曼德尔曼 .

中国专利 :CN1202563C ,2000-11-01

[46]

具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件 [P].

黄玉莲 ;

刘继文 ;

陈昭诚 ;

蔡明桓 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN103943473B ,2014-07-23

[47]

制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法 [P].

吴相录 ;

刘载善 .

中国专利 :CN100570825C ,2008-09-17

[48]

具有掩埋栅极的半导体器件的制造方法 [P].

金进雄 .

中国专利 :CN114284140A ,2022-04-05

[49]

形成具有金属栅极的半导体器件的方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102386135A ,2012-03-21

[50]

改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法 [P].

佘俊弘 ;

高杏 .

中国专利 :CN121099686A ,2025-12-09

← 1 2 3 4 5 →