具有改善栅极漏电流的半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010564680.5
申请日
2020-06-19
公开(公告)号
CN111682066A
公开(公告)日
2020-09-18
发明(设计)人
廖航 赵起越 李长安 王超 周春华 黄敬源
申请人
申请人地址
519085 广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2947 H01L29423 H01L2906 H01L21335
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
王允方
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P]. 
吴泰京 ;
李振烈 ;
金银贞 ;
金东洙 .
中国专利 :CN111668298A ,2020-09-15
[22]
具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P]. 
吴泰京 ;
李振烈 ;
金银贞 ;
金东洙 .
中国专利 :CN105702730A ,2016-06-22
[23]
一种功率半导体器件的栅极漏电流在线监测系统及方法 [P]. 
王凯宏 ;
郭世龙 ;
陈文汇 ;
汪文涛 ;
邾玢鑫 ;
佘小莉 .
中国专利 :CN118348307A ,2024-07-16
[24]
半导体器件 [P]. 
冈本直哉 .
中国专利 :CN103972283B ,2014-08-06
[25]
半导体器件 [P]. 
多木俊裕 ;
朱雷 ;
冈本直哉 ;
美浓浦优一 ;
尾崎史朗 .
中国专利 :CN104766882A ,2015-07-08
[26]
具有栅极堆叠的半导体器件 [P]. 
C·安德森 ;
J·福莫佩林 ;
C·玛奇里奥 ;
D·J·韦布 .
中国专利 :CN103125014B ,2013-05-29
[27]
半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P]. 
中野拓真 .
中国专利 :CN114649412A ,2022-06-21
[28]
半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P]. 
冈本康弘 ;
中山达峰 ;
井上隆 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13
[29]
半导体器件及形成该半导体器件的处理 [P]. 
中野拓真 .
中国专利 :CN109585543A ,2019-04-05
[30]
具有掩埋栅极的半导体器件 [P]. 
金熙中 ;
权玟禹 ;
韩相然 ;
金尚元 ;
金俊秀 ;
申铉振 ;
李殷奎 .
中国专利 :CN114156270A ,2022-03-08