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具有改善栅极漏电流的半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010564680.5
申请日
:
2020-06-19
公开(公告)号
:
CN111682066A
公开(公告)日
:
2020-09-18
发明(设计)人
:
廖航
赵起越
李长安
王超
周春华
黄敬源
申请人
:
申请人地址
:
519085 广东省珠海市高新区金鼎工业园金园二路39号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L2947
H01L29423
H01L2906
H01L21335
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
王允方
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200619
2020-09-18
公开
公开
共 50 条
[21]
具有双功函数栅极结构的半导体器件
[P].
吴泰京
论文数:
0
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0
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吴泰京
;
李振烈
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李振烈
;
金银贞
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金银贞
;
金东洙
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0
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0
金东洙
.
中国专利
:CN111668298A
,2020-09-15
[22]
具有双功函数栅极结构的半导体器件
[P].
吴泰京
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0
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0
吴泰京
;
李振烈
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0
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0
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李振烈
;
金银贞
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0
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金银贞
;
金东洙
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0
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金东洙
.
中国专利
:CN105702730A
,2016-06-22
[23]
一种功率半导体器件的栅极漏电流在线监测系统及方法
[P].
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机构:
王凯宏
;
郭世龙
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机构:
三峡大学
三峡大学
郭世龙
;
陈文汇
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机构:
三峡大学
三峡大学
陈文汇
;
汪文涛
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机构:
三峡大学
三峡大学
汪文涛
;
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机构:
邾玢鑫
;
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机构:
佘小莉
.
中国专利
:CN118348307A
,2024-07-16
[24]
半导体器件
[P].
冈本直哉
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0
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0
冈本直哉
.
中国专利
:CN103972283B
,2014-08-06
[25]
半导体器件
[P].
多木俊裕
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多木俊裕
;
朱雷
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朱雷
;
冈本直哉
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冈本直哉
;
美浓浦优一
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美浓浦优一
;
尾崎史朗
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尾崎史朗
.
中国专利
:CN104766882A
,2015-07-08
[26]
具有栅极堆叠的半导体器件
[P].
C·安德森
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C·安德森
;
J·福莫佩林
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J·福莫佩林
;
C·玛奇里奥
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C·玛奇里奥
;
D·J·韦布
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0
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D·J·韦布
.
中国专利
:CN103125014B
,2013-05-29
[27]
半导体器件及形成该半导体器件的处理
[P].
中野拓真
论文数:
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0
中野拓真
.
中国专利
:CN114649412A
,2022-06-21
[28]
半导体器件及制造该半导体器件的方法
[P].
冈本康弘
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冈本康弘
;
中山达峰
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中山达峰
;
井上隆
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井上隆
;
宫本广信
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宫本广信
.
中国专利
:CN102931221B
,2013-02-13
[29]
半导体器件及形成该半导体器件的处理
[P].
中野拓真
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0
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0
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0
中野拓真
.
中国专利
:CN109585543A
,2019-04-05
[30]
具有掩埋栅极的半导体器件
[P].
金熙中
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金熙中
;
权玟禹
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权玟禹
;
韩相然
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韩相然
;
金尚元
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金尚元
;
金俊秀
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金俊秀
;
申铉振
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申铉振
;
李殷奎
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李殷奎
.
中国专利
:CN114156270A
,2022-03-08
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