半导体器件及其结边缘区

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922344952.6

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN211480034U

公开(公告)日：

2020-09-11

发明(设计)人：

杜文芳

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市浦口区江浦街道浦口大道1号新城总部大厦506-1室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

亓赢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其结边缘区 [P].

杜文芳 .

中国专利 :CN111697062A ,2020-09-22

[2]

半导体器件及其结边缘区 [P].

杜文芳 .

中国专利 :CN210984729U ,2020-07-10

[3]

半导体器件及其结边缘区 [P].

杜文芳 .

中国专利 :CN110556427A ,2019-12-10

[4]

包括注入区的超级结半导体器件 [P].

F·希尔勒 ;

W·凯因德尔 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

A·威尔梅洛斯 .

中国专利 :CN103996700A ,2014-08-20

[5]

包括存储区和边缘区的超结半导体器件 [P].

弗朗茨·赫尔莱尔 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

乌韦·瓦尔 ;

汉斯·韦伯 .

中国专利 :CN103531611A ,2014-01-22

[6]

超级结半导体器件 [P].

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN204289463U ,2015-04-22

[7]

用于形成半导体器件杂质结区的方法 [P].

李古镐 .

中国专利 :CN1079165C ,1997-01-15

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

新宅秀臣 .

中国专利 :CN1241805A ,2000-01-19

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈世杰 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN107768393A ,2018-03-06

[10]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

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