一种半导体保护层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611027074.X

申请日：

2016-11-22

公开(公告)号：

CN107068833A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

涂波

申请人：

申请人地址：

637874 四川省南充市蓬安县杨家镇清华村10组

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3344

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

陈正兴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747168962 IPC(主分类):H01L 33/48 专利申请号:201611027074X 申请日:20161122
2020-02-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/48 申请公布日:20170818
2017-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件用的保护层 [P].

米泰克·巴考斯基 ;

克里斯托弗·哈里斯 ;

简·斯米迪特 .

中国专利 :CN1373902A ,2002-10-09

[2]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN102130261A ,2011-07-20

[3]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN104064636A ,2014-09-24

[4]

半导体硅片保护层制作方法 [P].

刘希仕 ;

吴长明 ;

姚振海 ;

陈骆 ;

王绪根 ;

朱联合 ;

刘冲 ;

韩建伟 .

中国专利 :CN112185825A ,2021-01-05

[5]

一种具有复合保护层的半导体结构 [P].

王勇 .

中国专利 :CN206022345U ,2017-03-15

[6]

具有硅胶保护层的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102067337A ,2011-05-18

[7]

具有过孔保护层的半导体装置 [P].

朴点龙 ;

宋乺智 ;

安振镐 ;

秦正起 ;

千镇豪 ;

崔朱逸 .

韩国专利 :CN113540013B ,2025-09-23

[8]

具有过孔保护层的半导体装置 [P].

朴点龙 ;

宋乺智 ;

安振镐 ;

秦正起 ;

千镇豪 ;

崔朱逸 .

中国专利 :CN113540013A ,2021-10-22

[9]

包括包含内保护层和外保护层的下电极的半导体装置 [P].

赵哲珍 ;

朴正敏 ;

林汉镇 ;

崔在亨 .

中国专利 :CN114203669A ,2022-03-18

[10]

一种半导体双层保护层的制作工艺方法 [P].

郭晓波 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN103107067A ,2013-05-15

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