一种具有复合保护层的半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620888130.8

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

CN206022345U

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

王勇

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L2331

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

张松亭

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

划片槽阻隔分离型保护层半导体结构 [P].

陈文军 ;

施建根 ;

冯玉祥 .

中国专利 :CN204391083U ,2015-06-10

[2]

一种半导体保护层 [P].

涂波 .

中国专利 :CN107068833A ,2017-08-18

[3]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN102130261A ,2011-07-20

[4]

具有保护层的半导体发光元件 [P].

姚久琳 ;

吕志强 .

中国专利 :CN104064636A ,2014-09-24

[5]

通过使用保护层制造半导体结构的方法和半导体结构 [P].

J·霍兹 .

中国专利 :CN1409372A ,2003-04-09

[6]

具有复合保护层的半导体芯片及其制备方法 [P].

马欢 .

中国专利 :CN120786921A ,2025-10-14

[7]

具有复合模制层的半导体结构 [P].

朴焕悦 ;

金桓佑 ;

李钟圭 ;

崔哲焕 .

中国专利 :CN114759029A ,2022-07-15

[8]

一种半导体双层保护层的制作工艺方法 [P].

郭晓波 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN103107067A ,2013-05-15

[9]

具有硅胶保护层的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102067337A ,2011-05-18

[10]

具有过孔保护层的半导体装置 [P].

朴点龙 ;

宋乺智 ;

安振镐 ;

秦正起 ;

千镇豪 ;

崔朱逸 .

韩国专利 :CN113540013B ,2025-09-23

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